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Hochfrequenztechnik 2. Elektronik und Signalverarbeitung


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Januar 1999

Beschreibung

Beschreibung

Mischung von Signalen verschiedener Frequenz, Frequenzvervielfachung und -tei­ lung sowie Modulation gehoren zu dem groBen Gebiet der Frequenzumsetzung. Die Frequenzumsetzung HiBt sich je nach der Aufgabenstellung in die in Abb. 11. 1/1 gezeigten Gruppen aufteilen. Die einfachste Form der Frequenzumsetzung ist die in Abb. 11. 1/1 a schematisch angedeutete Frequenzvervielfachung, die durch Verzerrung der Grundschwingung AfL A21 --4N1ielm~-- '---__ ---1. 1,,__-___ aof, f r nf, 'f "LL o 1, ~ f Abb. ll. 1/1a-d. Verschiedene Frequenzumsetzer mit prinzipiellen Eingangs- und Ausgangs­ spektren 472 11. Mischung und Frequenzvervielfachung j; und Heraussiebung der Oberwelle nj; erreicht wird. Den umgekehrten Fall stellt die in Abb. 11. l11 b gezeigte Frequenzteilung dar. Mit Modulation bezeichnet man eine Frequenzumsetzung, bei der meist ein niederfrequentes Signal die Amplitude oder die Phase einer hochfrequenten Tragerschwingungfo steuert (s. Kap. 12). Die dabei entstehenden Spektren sind in Abb. 11. l/1 c gezeigt. Bei der Mischung schlieGlich wird nach Abb. 11. l/1 d meist ein hochfrequentes Signal mittels einer hochfrequenten Oszillatorschwingungfo in seiner Frequenzlage geandert. 11. 2 Anwendungen der Mischung 11. 2. 1 Oberlagerungsempfanger Das Blockschaltbild eines Uberlagerungsempfangers zeigt Abb. 11. 2/1. Hier kann in der HF-Mischstufe jede im Empfangsbereich liegende Frequenz Is durch Mischung mit einer entsprechend einstellbaren Oszillatorfrequenz fo in eine feste "Zwischenfrequenz" (11. 211 a) fz=lfo±1s1 umgesetzt und in einem einmal fest eingestellten ZF-Verstarker weiterverstarkt werden. Zur Bildung der Zwischenfrequenz fz nach Gl. (11. 211 a) ist es gleichgiiltig, ob die Oszillatorfrequenz fo ober-oder unterhalb der Signalfrequenz Is liegt.

Inhaltsverzeichnis

7.Halbleiter, Halbleiterbauelemente und Elektronenröhren.
7.1 Physikalische Eigenschaften von Halbleitern.
7.1.1 Leitfähigkeit von Halbleitern.
7.1.2 Eigenleitung von Halbleitern (Ge, Si, GaAs).
7.1.3 Stärstellenleitung (Dotierung).
7.1.4 Die Schrödingergleichung.
7.1.5 Bändermodell von Halbleitern.
7.1.6 Trägerdichte als Funktion der Zustandsdichte und der Fermi-Verteilung.
7.1.7 Der Elektronentransfereffekt.
7.2 Halbleiterbauelemente mit zwei Elektroden (Dioden und Gunn-Elemente).
7.2.1 Der p-n-Übergang.
7.2.1.1 Überblick: Der p-n-Übergang ohne äußere Spannung.
7.2.1.2 Bändermodell, Ladungen, Feldstärke und Potential im p-n-Übergang.
7.2.1.3 Statische Kennlinie des p-n-Übergangs.
7.2.1.4 Durchbruchsmechanismen.
7.2.2 Der Metall-Halbleiter-Übergang.
7.2.2.1 Ladungen und Potential im Metall-Halbleiter-äbergang.
7.2.2.2 Statische Kennlinie des Metall-Halbleiter-Übergangs.
7.2.2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang als Ohmscher Kontakt.
7.2.2.4 Übergänge in Heterostrukturen.
7.2.3 Hochfrequenzdioden.
7.2.3.1 PIN-Dioden und Speichervaraktoren.
7.2.3.2 Kapazitätsdioden und Sperrschichtvaraktoren.
7.2.3.3 Schottkydioden.
7.2.3.4 Hochfrequenz-Photodioden.
7.2.4 Dioden för Hochfrequenzoszillatoren.
7.2.4.1 Tunneldioden.
7.2.4.2 Lawinenlaufzeitdioden(IMPATT-Dioden).
7.2.4.3 BARITT-Dioden.
7.2.4.4 Elektronentransfer-Elemente (Gunn-Elemente).
7.2.4.5 Heterostruktur-Tunneldioden.
7.2.5 Gehäusebauformen und gehäuselose Chiptechniken.
7.3 BipolareTransistoren.
7.3.1 Herstellungsverfahren und Aufbau von Transistoren.
7.3.1.1 Diffusionsverfahren.
7.3.1.2 Mesatransistor.
7.3.1.3 Planartransistor.
7.3.1.4 Epitaxieverfahren.
7.3.1.4.1 Gasphasenepitaxie.
7.3.1.4.2 Flüssigphasenepitaxie.
7.3.1.4.3 Beschichtung im Vakuum.
7.3.1.5 Ionenimplantation.
7.3.2 Strom-Spannungs-Beziehungen (Ebers-Moll-Gleichungen).
7.3.3 Betriebsbereiche bipolarer Transistoren.
7.3.3.1 Normalbetrieb (Emitterdiode in Durchla?richtung, Kollektordiode in Sperrrichtung gepolt).
7.3.3.2 Inverser Betrieb (Emitterdiode in Sperrrichtung,Kollektordiode in Durchla?richtung gepolt).
7.3.3.3 Sperrbetrieb (Emitter- und Kollektordiode in Sperrrichtung gepolt).
7.3.3.4 Flu?betrieb (Emitter- und Kollektordiode in Durchla?richtung gepolt).
7.3.4 Kennlinienfelder bipolarer Transistoren.
7.3.4.1 KennlinienIB =f(UBE) mit UCEals Parameter.
7.3.4.2 KennlinienIC=f(UCE) mit IBals Parameter.
7.3.4.3 KennlinienIC=f(UB mit UCEals Parameter.
7.3.4.4 KennlinienUBE =f(UCB) mit IBals Paramete.
7.3.4.5 Aussteuerungsgrenzen im IC, UCE-Kennlinienfeld.
7.3.5 Bipolare Transistoren als Verstärker im Kleinsignalbetrieb.
7.3.5.1 Kleinsignalgleichungen.
7.3.5.2 Kleinsignalersatzbilder.
7.3.6 Übertragungseigenschaften einstufiger Transistorschaltungen.
7.3.6.1 Übertragungsfaktoren.
7.3.6.2 Grundschaltungen.
7.3.7 Temperaturabhängigkeit und Temperaturstabilisierung bipolarer Transistoren.
7.3.7.1 Temperatureinflüsse.
7.3.7.2 Stabilisierungsma?nahmen.
7.3.8 Bipolare Transistoren bei höheren Frequenzen.
7.3.8.1 Frequenzabhängigkeit des Stromübertragungsfaktors ? und Grenzfrequenz f?.
7.3.8.2 Ersatzschaltbild nach Giacoletto.
7.3.8.3 Grenzfrequenzen f?undBeziehungzu f?.
7.3.8.4 Transitfrequenz fT.
7.3.8.5 Maximale Schwingfrequenz fmax.
7.3.9 Bipolare Mikrowellentransistoren.
7.3.9.1 Frequenzgrenzen durch verschiedene Zeitkonstanten.
7.3.9.2 Technologie von bipolaren Mikrowellentransistoren.
7.3.9.2.1 Fingerstruktur.
7.3.9.2.2 Overlaystruktur.
7.3.9.2.3 Sonstige Strukturen.
7.3.9.3 Zweitorparameter (Streuparameter) von Hochfrequenzverstärkern.
7.3.10 Heterobipolartransistoren (HBT).
7.3.10.1 Prinzip, Aufbau und Herstellung.
7.3.10.2 Vergleich der elektrischen Eigenschaften von HBT mit Si-Bipolartransistoren, MESFET und HEMT.
7.3.10.3 Einsatzgebiete.
7.4 Unipolare Transistoren (Feldeffekttransistoren).
7.4.1 Prinzip, Asführungsformen und Kennlinien.
7.4.1.1 Typen, Aufbau und Herstellung.
7.4.1.2 Wirkungsweise und Kennlinien.
7.4.1.3 Temperaturverhalten.
7.4.1.4 Aussteuerbereich.
7.4.2 Kleinsignal-FET.
7.4.2.1 Arbeitspunkteinstellung.
7.4.2.2 Kleinsignalersatzschaltung.
7.4.2.3 Grundschaltungen.
7.4.2.4 Grenzfrequenz, Stabilität und Gewinn.
7.4.2.5 Dual-Gate-FET.
7.4.2.6 Rauschen von FETs.
7.4.2.7 Entwicklungsstand von Kleinsignal-FETs.
7.4.3 Leistungs-FETs.
7.4.3.1 Kenngrö?en.
7.4.3.2 Kleinsignal- und Gro?signal-Ersatzschaltung.
7.4.3.3 Entwicklungsstand von Leistungs-FETs.
7.5 Elektronen im Vakuum.
7.5.1 Mittlere freie Weglänge von Elektronen im Vakuum.
7.5.2 Bewegung von Elektronen in elektrischen Feldern.
7.5.3 Bewegung von Elektronen in magnetischen Feldern.
7.5.3.1 Ablenkung von Elektronen im Magnetfeld.
7.5.3.2 Bündelung von Elektronenstrahlen durch ein axial gerichtetes Magnetfeld.
7.5.4 Elektronenemission aus Glühkathoden. Sättigungsstromgesetz.
7.5.5 Emission durch hohe Feldstärke an der Oberfläche (Feldemission).
7.6 Hochvakuumröhren.
7.6.1 Stromspannungskennlinien von Dioden. Raumladungsgesetz.
7.6.2 Trioden. Barkhausen-Formel.
7.6.3 Hochvakuumröhren für Mikrowellenverstärker.
7.7 Analoge Hochfrequenz-ICs (Integrated Circuits).
7.7.1 Einleitung.
7.7.2 Schaltungsentwurf.
7.7.3 Passive Bauelemente und Netzwerke.
7.7.3.1 Leitungselemente (Distributive Elemente).
7.7.3.2 Konzentrierte Elemente.
7.7.3.3 Anpassungsnetzwerke, Filter und Koppler.
7.7.4 Rechnergestützte Schaltungsentwicklung (CAD = Computer Aided Design).
7.7.5 Technologie der Schaltungen.
7.7.5.1 Hybridschaltungen.
7.7.5.2 Monolithische Schaltungen auf GaAs.
7.8 Digitale Hochfrequenz-ICs (Integrated Circuits).
7.8.1 Einleitung.
7.8.2 Grundlagen des Schaltungsentwurfs.
7.8.3 Schaltungen für logische Grundfunktionen184.
7.8.3.1 Dioden-Transistor-Logik (DTL).
7.8.3.2 Transistor-Transistor-Logik (TTL).
7.8.3.3 Emittergekoppelte Logik (ECL).
7.8.3.4 Integrierte Injektionslogik (I2L).
7.8.3.5 NMOS-Logik.
7.8.3.6 Komplementäre MOS-Logik (CMOSL).
7.8.3.7 FET-Logik mit Pufferschaltungen (BFL = Buffered FET Logic).
7.8.3.8 Schottkydioden-FET-Logik (SDFL).
7.8.3.9 Direkt gekoppelte FET-Logik (DCFL).
7.8.4 Vergleich der Logikschaltungen.
7.8.5 Anwendungsbeispiele.
7.8.5.1 Frequenzteiler, Flipflops.
7.8.5.2 Kombinatorische Logik, Arithmetische Grundschaltungen.
7.8.5.3 Speicher mit direktem Zugriff (RAM).
7.8.6 Technologie der Schaltungen.
7.9 Literatur.
8. Störungen und Rauschen.
8.1 Rauschquellen.
8.1.1 Grundbegriffe der Statistik.
8.1.2 Schrotrauschen.
8.1.2.1 Schrotrauschen in Vakuumdioden.
8.1.2.2 Schrotrauschen in Halbleiterdioden.
8.1.3 Thermisches Rauschen.
8.1.3.1 Rauschen der Serien- oder Parallelschaltung von Widerständen auf verschiedenen Temperaturen.
8.1.3.2 Rauschen eines Widerstandes mit Eigeninduktivität und Eigenkapazität.
8.1.4 Weitere Rauschquellen.
8.1.4.1 1/f-Rauschen.
8.1.4.2 Generations- und Rekombinationsrauschen (G-R-Rauschen).
8.1.4.3 Influenzrauschen.
8.1.4.4 Stromverteilungsrauschen.
8.2 Das Rauschen in der Schaltung.
8.2.1 Der rauschende, lineare Vierpol.
8.2.2 Leistungsgewinn, Rauschfaktor und Rauschzahl von Vierpolen.
8.2.3 Die Rauschtemperatur von Vierpolen.
8.2.4 Kettenschaltung rauschender Vierpole.
8.2.5 Das Rauschma? und seine Bedeutung in Kettenschaltungen.
8.3 Die Antennenrauschtemperatur.
8.4 Beispiele.
8.4.1 Rauschen einer bipolaren Transistorstufe und eines GaAs-MESFET.
8.4.2 Dimensionierung einer Funkstrecke mit Rücksicht auf den Störabstand.
8.4.3 Systemrauschtemperatur bei Berücksichtigung einer verlustbehafteten Leitung zwischen Antenne und Empfänger.
8.5 Literatur.
9. Verstärker.
9.1 Kleinsignalverstärker.
9.1.1 Grundschaltungen.
9.1.3 Neutralisation.
9.1.3.1 Neutralisation von Transistorverstärkern.
9.1.3.2 Neutralisation von Röhrenverstärkern.
9.1.4 Gleichstromverstärker und Operationsverstärker.
9.1.5 RC-gekoppelte Verstärker.
9.1.6 Übertragergekoppelte Verstärker.
9.1.7 Selektive Verstärker.
9.1.7.1 Einkreisverstärker.
9.1.7.2 Mehrstufiger Selektiwerstärker.
9.1.7.3 Verstärker mit verschieden abgestimmten Kreisen (Verstimmungsfilterverstärker).
9.1.8 Reflexionsverstärker.
9.1.8.1 Reflexionsverstärker mit Tunneldiode.
9.1.8.2 Reflexionsverstärker mit Gunn-Elementen und Lawinenlaufzeitdioden.
9.1.9 Leistungsanpassung und Stabilität.
9.1.10 Kleinsignalverstärker mit Feldeffekttransistoren.
9.1.10.1 Streuparameter eines GaAs-MESFET.
9.1.10.2 Signalflu?diagramme.
9.1.10.3 Leistungsgewinndefinitionen.
9.1.10.3.1 Klemmenleistungsgewinn (power gain) G.
9.1.10.3.2 Übertragungsgewinn (transducer power gain) Gt.
9.1.10.3.3 Verfügbarer Leistungsgewinn (available power gain) GA.
9.1.10.3.4 Einfügungsgewinn (insertion gain) GI.
9.1.10.3.5 Maximaler Leistungsgewinn.
9.1.10.4 Kreise konstanter Verstärkung.
9.1.10.5 Stabilität.
9.1.10.6 Entwurf von Mikrowellenverstärkern.
9.1.11 Laser und Laserlicht.
9.1.11.1 Festkörperlaser.
9.1.11.2 C02-Laser.
9.1.11.3 Halbleiterlaser.
9.1.12 Optoelektronische Repeater.
9.1.13 Integrierte Breitbandverstärker.
9.1.13.1 Gegengekoppelte Verstärker.
9.1.13.2 Verstärker mit Anpassungsnetzwerk.
9.1.13.3 Verstärker mit Gleichstrom-(DC-)Kopplung.
9.1.13.4 Gegentaktverstärker mit 3-dB-Richtkopplern.
9.1.13.5 Kenndaten und Ausblick.
9.1.14 Integrierte Schaltungen rauscharmer GaAs-FET-Verstärker.
9.1.14.1 Schaltungsentwurf und Kenndaten.
9.2 Gro?signalverstärker.
9.2.1 Verzerrungsarme Endverstärker mit Transistoren.
9.2.1.1 Eintakt-A-Verstärker.
9.2.1.2 Gegentakt-A-Verstärker.
9.2.1.3 Gegentakt-B-Verstärker.
9.2.2 Sendeverstärker mit Transistoren.
9.2.2.1 Der Entwurf von transistorisierten Sende- verstärkern.
9.2.2.2 Die Dimensionierung von transistorisierten Sendeverstärkern.
9.2.2.2.1 Impedanzanpassung.
9.2.2.2.2 Anpa?schaltungen.
9.2.2.2.3 Stabilität.
9.2.3 Verzerrungsarme Endverstärker mit Feldeffekttransistoren (GaAsFET Power Amplifiers).
9.2.3.1 Streuparameter.
9.2.3.2 Gro;signaleigenschaften und nichtlineare Verzerrungen.
9.2.3.2.1 Aussteuerungsabhangigkeit des Gewinns.
9.2.3.2.2 Aussteuerungsabhéngigkeit der Intermodulation.
9.2.3.2.3 Lastabhéngigkeit der Ausgangsleistung.
9.2.3.2.4 Lastabhéngigkeit der Intermodulation.
9.2.3.3 Anpassungsnetzwerke.
9.2.3.3.1 L-Transformation.
9.2.3.3.2 ?/4-Transformation.
9.2.3.3.3 Verluste in Transformationsschaltungen.
9.2.3.4 Leistungssummation (Power Combining).
9.2.3.5 Verstärkerentwurf.
9.2.4 Übersteuerte Leistungsverstärker (Sendeverstärker mit Röhren).
9.2.4.1 A-Verstärker.
9.2.4.2 B-und AB-Verstärker.
9.2.4.3 C-Verstärker.
9.2.5 Verstärkerklystron.
9.2.6 Verstärker mit Wanderfeldröhren.
9.3 Literatur.
10. Oszillatoren (Schwingungserzeugung).
10.1 Charakterisierung von selbsterregten Oszillatoren. Stabilitätskriterien.
10.2.1 Tunneldioden-Oszillatoren.
10.2.2 Elektronen-Transfer-Elemente (Gunn-Elemente) als Oszillatoren.
10.2.3 Lawinenlaufzeit-Oszillatoren (Read-und IMPATT-Dioden).
10.3 Zweipoloszillatoren mit Laufzeitröhren.
10.3.1 Vielschlitzklystron (Extended Interaction Klystron oder EIO = Extended Interaction Oscillator).
10.3.3 Magnetron.
10.3.4 Gyrotron.
10.4 Vierpoloszillatoren.
10.4.1 Allgemeines.
10.4.2 LC-Oszillatoren.
10.4.3 Frequenzstabilität.
10.4.3.1 Ursachen von Frequenzschwankungen.
10.4.3.2 Kurz- und Langzeitstabilität.
10.4.3.3 Phasensteilheit.
10.4.4 Quarzoszillatoren.
10.4.4.1 Der Quarz als Resonator. Achsen und Schnitte.
10.4.4.2 Schwingungsformen von Schwingquarzen.
10.4.4.3 Temperaturgang der Frequenz von Quarzen.
10.4.4.4 Quarzersatzbild, Serien- und Parallelresonanz.
10.4.4.5 Frequenzbereich und Schwingertyp.
10.4.4.6 Oszillatoren mit AT-Grundton-Quarzen.
10.4.4.7 Schaltungen für AT-Oberton-Quarze.
10.4.4.8 Frequenzänderungen durch Ziehen der Quarzfrequenz.
10.4.4.9 Schaltungen für Oszillatoren mit Quarzen anderer Schnitte.
10.4.4.10 Einflu? der Quarzbelastung.
10.4.5 RC-Oszillatoren (Schwingbedingung).
10.4.6 RC-Oszillatoren mit frequenzabhängiger Mitkopplung.
10.4.6.1 Phasensteilheit und Stabilitätsfaktor.
10.4.6.2 Wien-Robinson-Oszillator.
10.4.6.3 Oszillatoren mit RC-Abzweigschaltungen.
10.4.7 RC-Oszillatoren mit frequenzabhängiger Gegenkopplung.
10.4.7.1 RC-Oszillatoren mit überbnickten T-Schaltungen.
10.4.7.2 RC-Oszillatoren mit Doppel-T-Schaltung.
10.4.8 Stabilisierung der Schwingamplitude.
10.4.9 Integrierte Schaltungen für GaAs-FET-Oszillatoren.
10.4.9.1 Oszillator-Schaltungsentwurf.
10.4.9.2 Oszillatoren mit dielektrischem Resonator.
10.4.9.3 Kenndaten und Ausblick.
10.4.10 Oszillatoren mit Oberflächenwellen-Resonatoren (OFW- oder SAW-Oszillatoren).
10.4.10.1 Durch OFW-Eintor-Resonator stabilisierter Colpitts-Oszillator.
10.4.10.2 Pierce-Oszillator mit OFW-Zweitor-Resonator.
10.5 PLL-Oszillatoren.
10.5.1 Grundsätzliches zur Phasenregelschleife.
10.5.2 Grundschaltung des PLL-Oszillators.
10.5.2.1 Spannungsgesteuerter Oszillator.
10.5.2.2 Schaltungen zum Phasenvergleich (Phasendetektoren).
10.5.2.3 Schleifenfilter (Loopfilter).
10.5.3 Erzeugung eines Frequenzrasters.
10.5.3.1 PLL mit umschaltbarem Vorteiler (2-modulus-Prescaler).
10.5.3.2 Mehrfachschleifensynthesizer (Gekoppelte Phasenregelschleifen).
10.5.3.3 PLL-Schaltungen mit nichtganzzahligen Teilerverhältnissen (Fractional-N-PLL).
10.6 Direkte Digitale Frequenzsynthese (DDS).
10.7 Literatur.
11. Mischung und Frequenzvervielfachung.
11.1 Einführung.
11.2 Anwendungen der Mischung.
11.2.1 Überlagerungsempfänger.
11.2.2 Frequenzumsetzer für m- und dm-Wellen.
11.3 Kombinationsfrequenzen bei nichtlinearen Bauelementen.
11.3.1 Kleinsignaltheorie der Mischung.
11.3.2 Aufwärtsmischung, Abwärtsmischung, Gleichlage, Kehrlage.
11.4 Mischung mit Halbleiterdioden als nichtlinearen Widerständen.
11.4.1 Kleinsignalersatzschaltbild der Halbleiterdiode.
11.4.2 Leistungsbeziehungen von Page und Pantell.
11.4.3 Mischung mit Serienschaltung der Steuerspannungen.Konversionsgleichungen.
11.4.4 Betriebsleistungsverstärkung der Mischschaltung.
11.4.5 Rauschfaktor des Mischers in Bandmitte.
11.4.6 Fourier-Koeffizienten des Leitwerts bei geknickter Dioden Kennlinie. Eintaktmischer.
11.4.7 Gegentakt- und Brückenmischer (Ringmodulator).
11.4.8 Doppelgegentaktmischer.
11.5 Mischung mit Halbleiterdioden als nichtlinearen Kapazitäten.
11.5.1 Leistungsbeziehungen von Manley und Rowe.
11.5.2 Mischung mit Parallelschaltung der Steuerströme.Konversionsgleichungen.
11.5.3 Betriebsleistungsverstärkung des Reaktanzmischers.
11.5.4 Rauschtemperatur des Reaktanzmischers.
11.5.5 Optimierung von Reaktanzmischern.
11.5.6 Reaktanzmischer bei hohen Frequenzen.
11.6 Mischung mit Transistoren.
11.7 Frequenzvervielfachung und-teilung.
11.7.1 Frequenzvervielfacher für analoge Signale.
11.7.2 Frequenzvervielfacher mit Sperrschichtvaraktor.
11.7.3 Frequenzvervielfacher mit Speichervaraktor.
11.7.4 Frequenzteiler für analoge Signale.
11.7.5 Frequenzvervielfachung und -teilung digitaler Signale. Vergleich.
11.8.1 Mischung mit GaAs-MESFETs.
11.8.2 Mischer-Schaltungsentwurf.
11.8.3 Kenndaten und Rückblick.
12. Modulation, Tastung, Demodulation.
12.1 Einführung.
12.2.2 Amplitudenmodulationsverfahren.
12.2.2.1 Amplitudenmodulation mit gesteuerten passiven Elementen.
12.2.2.2 Amplitudenmodulation mit gesteuerten Röhren.
12.2.3 Leistungssparende Amplitudenmodulationsverfahren.
12.2.4.1 Synchrondetektor (Kohärentdetektor).
12.2.4.2 Linearer Gleichrichter und Hüllkurvendetektor.
12.2.5 Einseitenband-Amplitudenmodulation (EM).
12.2.5.1 EM-Modulatoren.
12.2.5.2 EM-Demodulation.
12.2.6 Amplitudentastung.
12.3 Winkelmodulation (Frequenz- oder Phasenmodulation).
12.3.1 Grundbegriffe der Winkelmodulation.
12.3.1.1 Phasenhub und Frequenzhub bei Winkelmodulation.
12.3.1.2 Pendelzeigerdiagramm bei Winkelmodulation und Frequenzspektrum.
12.3.2 Frequenzumtastung (FSK). Phasenumtastung (PSK).
12.3.2.1 Pendelzeigerdiagramme bei Umtastung.
12.3.2.2 Frequenzspektrum und Bandbreite bei Frequenzumtastung (FSK).
12.3.2.3 Frequenzspektrum und Bandbreite bei Phasenumtastung (PSK).
12.3.3 Harmonische Winkelmodulation.
12.3.3.1 Pendelzeigerdiagramm. Frequenz-und Phasenhub.
12.3.3.2 Frequenzspektrum und Bandbreite bei harmonischer Winkelmodulation.
12.3.3.3 Unsymmetrisches Spektrum bei Winkelmodulation.
12.3.3.4 Unterschied zwischen Frequenzmodulation und Phasenmodulation.
12.3.4 Unterdrückung von Störungen bei gro?em Modulationsindex.
12.3.5 Modulationsverfahren für Frequenzmodulation (FM).
12.3.6 Modulationsverfahren für Phasenmodulation (PM).
12.3.7 Demodulationsverfahren für winkelmodulierte Schwingungen.
12.3.8 Anwendung mehrerer Modulationsarten (Stereo-Rundfunk-Norm).
12.3.9 Quadraturmodulation (QAM).
12.4 Pulsmodulation.
12.4.1 Pulsmodulationsverfahren.
12.4.2 Pulsdemodulationsverfahren.
12.4.3 Zeitmultiplexverfahren.
12.5 Frequenzspreizung.
12.5.1 Bandbreite und Störabstand.
12.5.2 Code-Spreizverfahren.
12.5.3 Spreizcodes.
12.5.4 Codemultiplex.
12.6 Verhalten von amplitudenmodulierten und winkelmodulierten Systemen bei Rauschstörungen.
12.6.2 Rauschen in amplitudenmodulierten Systemen.
12.6.2.1 Rauschen beim Hüllendetektor.
12.6.2.2 Rauschen beim Synchrondetektor.
12.6.2.3 Vergleich der verschiedenen Amplitudenmodulationsverfahren.
12.6.3 Rauschen in winkelmodulierten Systemen.
12.7 Geräusch in pulsmodulierten Systemen.
12.7.1 Wertkontinuierliche Pulsmodulationen.
12.7.2 Wertdiskrete Modulationen.
12.7.2.1 Detektion von binären Impulsen.
12.7.2.2 Quantisierungsgeräusch.
12.8 Digitale Modulationsverfahren in Funkübertragungssystemen.
12.8.1 Intersymbolinterferenzfreie, bandbegrenzte Übertragung.
12.8.2 Lineare Modulationsverfahren.
12.8.2.1 Kohärente Phasenumtastverfahren.
12.8.2.2 Phasenumtastung mit differentieller Zustandscodierung.
12.8.2.3 Einflu? von Bandbegrenzung und Nichtlinearitäten auf die QPSK-Übertragung.
12.8.3 Modulationsverfahren mit konstanter Hüllkurve.
12.8.4 Einflu? der Mehrwegeausbreitung auf die Bitfehlerwahrscheinlichkeit.
12.8.5 Vergleich der Bandbreite- und Leistungseffizienz.
12.9 Literatur.
A. Integraltransformationen.
A.l Die Impulsfunktion ?(x).
A.2 Die Fourier-Transformation.
A.3 Lineare Systeme.
A.4 Die Hilbert-Transformation.
B. Die Radargleichung für Primärradar.
Literatur zu Anhang A.

Innenansichten

EAN: 9783540647287
ISBN: 3540647287
Untertitel: 'Springer-Lehrbuch'. 5. , neubearb. Auflage. Zahlreiche Abbildungen und Tabellen.
Verlag: Springer-Verlag GmbH
Erscheinungsdatum: Januar 1999
Seitenanzahl: XX
Format: gebunden
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