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Simulation von Leistungsbauelementen mit durch Bestrahlungsverfahren eingestellter Trägerlebensdauer


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kartoniert
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April 2003

Beschreibung

Inhalt

Moderne bipolare Silizium-Leistungsbauelemente werden zur Optimierung ihrer Eigenschaften in zunehmenden Maße einem Prozeß zur Einstellung der Ladungsträgerlebensdauer unterzogen. Aufgrund der guten Reproduzierbarkeit der erzielten Ergebnisse und der Möglichkeit der Erzeugung sowohl lokaler als auch homogener Trägerlebensdauerprofile gewinnen Verfahren der Bestrahlung mit hochenergetischen Teilchen (Elektronen, Protonen, Alphateilchen) zunehmend an Bedeutung. Ziel der vorliegenden Dissertation war es, ein geeignetes Modell für die Simulation solcher Bauelemente zu implementieren und alle erforderlichen Parameter zu bestimmen. Es werden die Grundlagen zur Optimierung schneller Freilaufdioden und hochsperrender IGBT's vorgestellt sowie Ziele und Möglichkeiten der Trägerlebensdauereinstellung mittels Bestrahlungs- als auch Diffusionsverfahren diskutiert. Desweiteren erfolgt eine Darstellung der im Halbleiter ablaufenden physikalischen Vorgänge der Ladungsträgerrekombination und eine ausführliche Vorstellung der eingesetzten Meßverfahren. Der Nachweis der Eignung des eingesetzten Modells sowie der Gültigkeit der gemessenen Parameter erfolgt anhand einer Vielzahl gefertigter Strukturen. Darüber hinaus wird am Beispiel der dynamischen Impatt-Oszillation gezeigt, daß mit Hilfe des genutzten Modells ebenfalls die Umladevorgänge der strahlungsinduzierten Rekombinationszentren in der Simulation berücksichtigt werden.
EAN: 9783833003110
ISBN: 3833003111
Untertitel: Paperback.
Verlag: Books on Demand
Erscheinungsdatum: April 2003
Seitenanzahl: 192 Seiten
Format: kartoniert
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